Jet Randentschichtung 4Jet MEX molybden epogersystem

besteht aus :

einer mechanischen Besäumanlage,4Jet , Typ MEX molybdän epogersystem, Baugruppe 1000
diodengedämmter Laser mit 400W, Pulsdauer 8ns, Baugruppe 4000
einem QVS-System , 4Jet, Baugruppe 5000

komplettes System von 4Jet zur Randentschichtung von Duennschicht-Solarzellen gehoert urspruenglich, zu den von uns angebotenen 2 Sputteranlagen von Lebold H3200 Randentschichtung• Beruehrungsloses Verfahren ohne Schaedigung des Substrates,keine Mikrorisse• Trockener Prozess ohne Strahlgut, keine Chemikalien, weniger Entsorgungsvolumen, umweltfreundlicher• Effektive Entschichtung von TCO, Halbleitern und Rueckkontakten - 1000V-Test >10 GOhm• Keine Nachreinigung notwendig• Reproduzierbare Ergebnisse• Optionale Laserreinigung der Schliffkanten!• Flexibel - Entschichtungszonen koennen Glastoleranzangepasst werden• alle metallischen Front- oder Rueckkontakte (Mo, Al, Ag)• alle gaengigen Halbleiter (a-Si single junction/tandem junction, CIS,CIGS, CdTe)• alle TCO-Schichten (ITO, ZnO, SnO2 )MEX Molybdaen Freilegung auf CIGS Solarzellen. Bei der Herstellung von CIGS und verwandten Duennschicht-Solarzellen muss die auf das Glas aufgedampfte Molybdaenschicht selektiv freigelegt werden,um die Kontaktierung des Bus Bars mit Klebe-, oder Schweissverfahren vorzubereiten.Dazu muessen die nur wenige hundert Nanometer starken Halbleiterschichten vom Metall entfernt werden, ohne das Molybdaen anzugreifen.QVS Serie 7007 Baugruppe 5000zur vollflaechigen Isolationsmessung der entschichteten Bereiche, mit Hochspannung

Neupreis der gesamten Anlage 840.000,- € netto